机械设备行业周报：国际光刻机龙头订单火爆，动力电池厂商加速扩产，关注半导体、锂电设备需求释放.pdf

超大规模集成电路先进光刻理论与应用.pdf Advanced Processes for 193-nm Immersion Lithography (SPIE Press Monograph Vol. PM189).pdf 合集

光刻机（NIKON）的设计与结构

科创新秀之：安集微电子：打破国外垄断，实现CMP抛光液和光刻胶去除剂等集成电路领域关键材料国产化.pdf

科技冠军系列报告（二）：摘取光刻机皇冠上的明珠——ASML.pdf

紫外光刻机使用及维护指南。感谢您购买本所设备，使用前请仔细阅读本说明书！

20210703-方正证券-化工行业新材料周报：上海新阳Krf光刻胶取得首笔订单，恩捷股份预计上半年业绩大增.pdf

极紫外光刻机光源技术

光刻机重中之重，前道设备居首位。光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、 镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设 备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高，涉及精密光学、精密运动、高精度环 境控制等多项先进技术。光刻机是人类文明的智慧结晶，被誉为半导体工业皇冠上的 明珠。  冲云破雾，国产替代迎曙光。目前全球前道光刻机被ASML、尼康、佳能完全垄断 ,CR3高达99%。在当前局势下，实现光刻机的国产替代势在必行，具有重大战略意义 。在02专项光刻机项目中，设定于2020年12月验收193纳米ArF浸没式DUV光刻机， 其制程工艺为28纳米。考虑到此项目作为十三五目标，未来具有较大的明确性，结合 28nm作为当前关键技术节点的性能和技术优势，我们认为光刻机国产替代将迎来新 的曙光，尤其是IC前道制造领域，将初步打破国外巨头完全垄断的局面，实现从0到1 的突破。  按图索骥，追根溯源寻标的。通过对即将交付的28nm光刻机进行剖析，建议关注以 举国之力助力国产替代的光刻产业链，一是光刻机核心组件：负责整体集成的上海微 电子、负责光源系统的科益虹源，负责物镜系统的国望光学，负责曝光光学系统的国 科精密，负责双工作台的华卓精科，负责浸没系统的启尔机电；二是光刻配套设施： 包括光刻胶，光刻气体，光掩模版，光刻机缺陷检测设备，涂胶显影设备等。

光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础，他决定了集成电路（IC）的集成度。 光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物，这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年，国家将 LED照明列入为重点发展产业，LED 行业迅猛发展。 LED制造过程中， 具有光刻版的使用量多，使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本，主要采用接触式曝光。 接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度，但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚，在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶，导致光亥胶粘附到光刻版表面（图 1）。对于 IC 行业，因为线条更细，精度要求更高，所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言，其颗粒移除率（PRE）不需要达到 100%，但对于光刻版而言却并非如此，其原因是对于产品良率而言，光刻版表面颗粒的影响更大， 单晶圆缺陷只影响一个缺陷，而一个光刻版却影响到每一个芯片。