首先采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列,结合不同的电化学方法制备具有三维异质结构的CdSe/TiO2纳米管阵列复合薄膜。结果表明:电解液中加入酒石酸钾钠,采用循环伏安法和恒压沉积法都得到了分散性好,尺寸小而均匀分布的CdSe纳米颗粒。特别是采用循环伏安法制备CdSe/TiO2纳米管阵列薄膜时,得到直径为15～20nm的立方相CdSe颗粒,且均匀地分布在TiO2纳米管管内和管口,能够充分地利用TiO2纳米管阵列的三维结构,形成具有三维异质结构的CdSe/TiO2纳米管阵列复合薄膜。光电性能结果表明测试,这种具有三维异质结构的CdSe/TiO2纳米管阵列复合薄膜能够充分利用太阳光,并有效地促进光生载流子的分离和传输,呈现出最佳的光电化学性能。

设计了一种基于异质结构的低串扰3-LP模12芯光纤,纤芯采用异质无沟槽辅助的环形折射率分布,结构简单且能增大纤芯的有效模场面积。利用COMSOL软件分析了异质纤芯的芯间串扰、有效模场面积等性能,结果表明,异质纤芯LP01,LP11,LP21模的芯间串扰分别低于-0.78,-0.66,-0.4 dB/km,有效模场面积分别为150,166,200 μm 2。使用方点阵型纤芯排布方式,可实现包层直径约为213.8 μm、相对纤芯复用因子为26.9的低串扰3-LP模12芯光纤设计,为通信容量的升级扩容提供器件支持。

以二维三角晶格光子晶体为研究对象，在该光子晶体中引入两行平行的单模线缺陷波导，以一行耦合介质柱为间距，通过调节部分耦合介质柱的折射率，构筑了光子晶体异质结耦合波导光开关结构。利用平面波展开法和定向耦合原理计算了在不同入射光频率下，缺陷波导间耦合介质柱的折射率不同时的耦合长度，确定了合适的光子晶体异质结耦合波导光开关的结构参数。利用时域有限差分法研究了该光开关中耦合介质柱的折射率变化及异质结构介质柱的位置分布对光信号输出路径的影响。结果表明，通过改变该结构中耦合介质柱的折射率可以改变光的输出路径，可实现光的开关行为。并且异质结构介质柱位置的随机分布对该光开关的影响不大，有助于光子晶体新型滤波器、定向耦合器、波分复用器以及光开关等光子器件的研究。

基于AlGaN电子阻挡层的ZnO异质结激子发光二极管的研制，李长鸣，梁红伟，通过在n-ZnO与p-GaN之间引入AlGaN电子阻挡层，在电注入下利用该种结构实现了来自于ZnO的紫外发光。该异质结结构表现出典型的二极管整流

氧化物异质结中的自旋输运行为.doc

http://www.mathworks.co.uk/matlabcentral/fileexchange/33353-optical-gain-calculator-for-all-iii-v-semiconductors-including-type-i-and-ii-中提供的程序更新版本异质结一些计算错误是固定的。 添加了 III 族氮化物纤锌矿结构的参数。 添加了II-VI材料参数。

为了改善SiGe异质结双极晶体管（HBT）的电学和频率特性，本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比，该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下，集电极区，基极区和发射极区均发生应变，这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具，数值模拟结果表明，在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA，β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时，V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比，提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9％。

异质结简单简单简单的建模

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