2020-2025年中国异质结电池行业发展趋势预测与发展战略咨询报告.pdf

有机体异质结太阳能电池中电荷载流子迁移率效应的建模

电沉积法制备TNTs/CdS_xSe_y异质结及其光电性能研究

为了稳定地采用多频带kp模型来分析半导体异质结构中的无杂散解（SS）的能带结构，提出了一种用于有限差分法（FDM）的埃尔米特向前和向后差分（HFBD）方案。 HFBD是一种离散化方案，它消除了差异的不稳定性，并采用Burt-Foreman Hermitian算子排序，而没有几何不对称性。 差异的不稳定性来自采用Foreman策略（FS）。 FS消除了散布曲线中非物理弯曲导致的SS，而HFBD是唯一可以准确适应它的差异方案。 与其他最新策略相比，本文提出的方法与FS一样准确，可靠，并且保留了FDM的快速性和简便性。 这种差异方案显示出稳定的收敛性，并且在可变网格大小下没有任何SS。 因此，无论它们最初生成的SS是什么，都可以使用这种方法将各种实验确定的频带参数应用于大规模稳定仿真。

溶胶浓度对Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ITO阻变异质结性能的影响研究

本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际水平理想因子值的场助肖特基结,用实验数据介绍提高量子效率数量级的方法和条件.研究结果表明场助异质半导体光电阴极是在红外波段很有潜力的光电发射体.

大功率连续波异质结激光器的寿命研究

基于石墨烯-硅异质结的高性能位置感应探测器

针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易出现外延生长的问题，采用化学抛光液CP133对硅片表面进行了抛光处理。研究结果表明，抛光使得金字塔底部区域形貌由“V”型变成了“U”型，明显改善了非晶硅/晶体硅界面的钝化效果。抛光溶液温度低于30 ℃时难以发挥腐蚀作用，但当溶液的起始温度升高至35 ℃时，获得了较好的抛光效果。采用质量分数为1%的NaOH溶液制绒且抛光时间为30 s时，太阳电池性能较佳。