独立式GaAs / AlGaAs单量子阱（SQW）微管的光学研究：与InGaAs / GaAs双层微管的比较

文章采用连续波激射的太赫兹量子级联激光器(THz QCL)为发射端、光谱匹配的THz量子阱探测器(THzQWP)为接收端,搭建了基于THz波的无线传输演示系统.测量并分析了该演示系统的传输带宽.采用搭建的无线传输系统演示了基于4.13 THz电磁波的图片文件的无线传输过程,得到了与源文件一致的结果,验证了采用THzQCL和THz QWP进行THz信号无线传输的可行性.最后,分析了演示系统的传输速率,给出了提高系统传输速率的方法.

数值研究了具有交错AlGaN量子阱特定设计的基于AlGaN的深紫外发光二极管（UV LED）。拟议中的具有Al0.45Ga0.55N–Al0.5Ga0.5N–Al0.45Ga0.55N和Al0.5Ga0.5N–Al0.45Ga0.55N–Al0.5Ga0.5N交错量子阱层的UV LED表现出对光的显着改善与传统的AlGaN UV LED相比，输出功率和载流子注入效率更高。通过量子阱中载流子浓度，辐射复合率和波函数重叠的模拟分布，可以解释所设计的LED的增强性能。

建立了InGaN / GaN发光二极管（LED）静态和动态行为的速率方程模型，并在SPICE电路仿真器上实现了该模型。 通过将模拟结果与报告的实验数据进行拟合，获得了模型的参数。 通过改变有源区中量子阱的数量，对InGaN LED的瞬态响应进行了比较研究。 仿真表明，光功率的上升时间随阱数的增加而增加，由三个量子阱组成的有源区是最优化的结构。

大数据-算法-非对称量子阱中的非线性光学性质研究.pdf

大数据-算法-非对称耦合量子阱柱形量子点量子阱中非线性光学性.pdf

工具箱提供了使用有限元方法计算单量子方阱中所有带边能量和相应波函数的程序。

matlab艾里光代码一维三角量子阱 一些用于分析三角量子阱的 MATLAB 代码。 tri_qw.m计算一维三角量子阱中价带或导带的能级和波函数。 文件中的第一部分是用户可编辑的。 脚本与Matlab R2016a兼容。 解释 考虑了具有恒定电场F和在 x = 0 处的无限势垒的三角形量子阱。 图 1.具有电场 F 的三角形量子阱的电势。 这个势的薛定谔方程变为： 微分方程 x” - ax = 0 的一般解是艾里函数，因此薛定谔方程的解是： 和能量： 其中 Cn 是 Airy 函数的第 n 个零。 它的零点近似由下式给出： 以下是一些示例输出图

首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制特性。从理论上得到了获得最低阈值的最佳阱数和最大调制带宽的最佳腔长。

GaAs-GaAlAs 量子阱 在 I 型量子阱中，势垒的较大带隙和阱材料的较小带隙之间的能量差 ΔEg 对导带中的电子和价带中的空穴产生限制电位。 例如，在 GaAs-GaAlAs 量子阱中，所得阱深度分别为 ΔVe~2ΔEg/3 和 ΔVh~ΔEg/3。 在这些半导体中，导带中的电子表现得好像它们有一个有效质量 m*，这与自由电子质量 mo 不同，并且该质量在两种材料中是不同的，例如，阱中的 mw 和mb 在屏障中。 由于两种材料的电子有效质量不同，在两种材料的界面处用于波函数导数的边界条件不是导数 dψ / dz 的连续性； 相反，一个常见的选择是 (1/m*)(dψ / dz) 的连续性，其中 m* 对于井中和屏障中的材料是不同的。 此m文件（GaAs_GaAlAs_QW.m）绘制了给定GaAs-GaAlAs量子阱的Al组成（x）和阱宽度Lz（Å）的电子，重空穴和轻空穴的本征函