求解刚性振荡问题的Rosenbrock方法，陈蓉，文志武，本文应用Rosenbrock方法求解刚性振荡问题，分别讨论了2级2阶、3级3阶以及4级5阶的Rosenbrock方法的P-稳定性及弥散误差、耗散误差和e-相容误

NESSY是一款开源软件，可分析CPMG或R1p（R1rho）分散实验的NMR弛豫色散数据。 图形界面使大型实验数据集的简单管理和简单而自动化的分析成为可能。 NESSY自动计算有效的横向松弛率（R2eff），并在不同的松弛色散模型之间执行模型选择。

我们已经通过两种不同的方法计算了W环对衰变H→Z +γ幅度的贡献：（1）使用维正则化（DimReg）在Rξ-Gauge中，以及（2）在单规范中通过色散 方法。 使用分散法，我们采用了两种方法：（i）不进行减法和（ii）进行减法，采用Goldstone玻色子等价定理（GBET）在极限MW→0下确定减法常数。 用DimReg在Rξ-Gauge中的计算结果与使用GBET的分散方法完全一致，这表明DimReg与遵循GBET的分散方法兼容。

振动发电元件是一种三叠片对称悬臂梁结构,即压电陶瓷-金属-压电陶瓷复合结构。针对长度为33 mm的压电叠层复合梁,采用ANSYS有限元建模方法,分析了开路电压随压电陶瓷层宽度、长度、厚度尺寸变化的响应关系。研究表明,存在一定的厚度比将使叠层复合梁的开路电压出现最优值,该结论可为叠层复合梁结构尺寸参数的优化提供依据。

我们研究了天体来源的强磁场（例如中子星磁层中）中冷暗物质（CDM）轴绝热共振转换为光子的条件。 我们证明了即将出现的射电望远镜（例如SKA（平方公里阵列））可以探测来自CDM轴的那些光子信号的可能性。

内容概要：本文详细介绍了环形振荡器和VCO振荡器的设计与仿真技巧，涵盖了从基础到高级的各种应用场景。首先针对初学者提供了使用Cadence进行基本环形振荡器搭建的方法，强调了正确设置PSS和PNODE仿真参数的重要性。接着深入探讨了调谐曲线仿真、相位噪声优化以及眼图分析等关键技术环节，并分享了许多实用的经验和技巧，如采用条件步进设置提高调谐曲线精度、利用附加电容减少相位噪声等。此外，文中还讨论了不同工艺条件下（如SMIC55nm）的具体实现细节及其带来的挑战，包括功耗管理、噪声抑制等方面。 适合人群：从事模拟集成电路设计的技术人员，尤其是对环形振荡器和VCO振荡器感兴趣的工程师。 使用场景及目标：帮助读者掌握环形振荡器和VCO振荡器的设计流程和技术要点，提升其在实际项目中的应用能力，确保能够高效完成高质量的设计任务。 其他说明：文章不仅提供了理论指导，还包括大量具体的实例代码片段，便于读者理解和实践。同时提醒读者关注一些常见的陷阱和误区，以避免不必要的错误发生。

STM32F10xx系列微控制器是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一种32位ARM Cortex-M3微控制器。这款微控制器内置有高速内部RC振荡器（HSI），其频率为8 MHz，并且在25℃时具备±1%的典型精度。然而，当环境温度变化，特别是在极端温度范围内（-40到105℃），HSI振荡器的频率精度会降低到±3%。这种温度变化导致的频率精度下降可能会对需要高精度时钟的应用产生影响。 为了解决这一问题，AN2868应用笔记介绍了一种运行时校准方法，用户可以使用该方法微调STM32F10xx系列微控制器内部的HSI振荡器，以提高其频率精度。校准方法主要依赖于精确参考频率源，比如RTC/64信号或标准的50 Hz/60 Hz电源频率信号。通过比较RC振荡器频率与参考频率，可以计算出HSI的频率误差。基于此误差，可以设置RCC_CR寄存器中的HSITRIM位，以校准振荡器的输出频率。 具体实施校准过程时，有多种方法可以使用，如通过计算具有最小误差的频率，或者通过寻找最大允许的频率误差。这些方法的原理都是相同的，即通过计算RC频率与参考频率之间的误差，来校准HSI频率。 校准功能可以通过一些特定的函数来实现，例如HSI_FreqMeasure()函数用于测量频率，而HSI_CalibrateMinError()函数和HSI_CalibrateFixedError()函数则分别用于最小误差校准和固定误差校准。在实际操作中，提供一些演示说明和校准库使用建议，可以帮助用户更好地理解和应用校准功能。 校准过程的性能也是一个重要的考量因素。文档中提到了频率测量的精度和校准过程所需的时间。这些性能指标对评估校准功能的实际效果和适用性至关重要。 STM32F10xx系列微控制器在许多嵌入式系统应用中，如工业控制、自动化设备、消费电子产品等领域，都具有广泛的应用。正确校准HSI振荡器不仅能够提升系统运行的稳定性和可靠性，还能优化功耗表现，尤其是在对于时间敏感的应用中，这种优化尤为关键。 AN2868应用笔记详细介绍了STM32F10xx系列微控制器内部RC振荡器的校准方法和原理，提供了实施校准的函数及建议，并探讨了校准的性能评估。这对于提高基于STM32F10xx微控制器的应用系统的整体性能具有重要意义。

"两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究" 本文主要介绍了两种高频CMOS压控振荡器的设计和研究，讨论了影响压控振荡器性能的重要参数，并给出了实验结果。 文中分析了压控振荡器的工作原理和性能指标。压控振荡器是一种电压/频率转换电路，在环路中作为被控振荡器，其输出频率应随控制电压线性地变化。理想的压控振荡器的输出频率和输入频率的关系可以表示为ωout=ω0+KVCOVcont，其中ω0是控制电压Vcont为零时的振荡器的固定频率，KVCO为压控振荡器的增益或灵敏度。 然后，文中讨论了压控振荡器的设计原则和要求。压控振荡器的设计需要考虑三个重要特征：低抖动或低相位噪声、宽锁定范围和稳定的增益。低抖动或低相位噪声是压控振荡器输出信号的重要特征，低抖动或低相位噪声可以提高锁相环的稳定性。宽锁定范围是压控振荡器的另一个重要特征，广泛的锁定范围可以满足锁相环的要求。稳定的增益是压控振荡器的第三个重要特征，稳定的增益可以减少电路设计的不确定性。 接下来，文中介绍了两种高频CMOS压控振荡器的设计和实现。第一种设计采用环形振荡器结构，使用反相器级联的方式实现多谐振荡器。第二种设计采用差分环形结构，使用饱和型双延时结构的差分延时单元电路。两种设计都可以实现高频率的压控振荡器，满足锁相环的要求。 文中给出了实验结果，展示了两种压控振荡器的性能特征。实验结果表明，两种设计都可以实现高频率的压控振荡器，并且具有良好的性能特征。 本文展示了两种高频CMOS压控振荡器的设计和研究，讨论了影响压控振荡器性能的重要参数，并给出了实验结果。该研究结果可以为锁相环和其他相关领域的研究和应用提供有价值的参考。

尽管对超子的光产生进行了数十年的研究，但它们的产生机理和激发态光谱仍是未知之数。 违反奇偶性的超子的弱衰变提供了一种测量其极化的方法，这可以帮助辨别其产生机理并确定其激发光谱，但由于生产截面较低，因此无法对光产生中的双重子进行此类研究。 然而，通过利用反应γp→K + K +Ξ-，我们首次测量了由Cx和Cz表征的圆偏振实光子的诱导极化P和转移极化到反卷积 Ξs。 数据是使用杰斐逊实验室的CEBAF大接收光谱仪（CLAS）获得的，其光子能量从刚刚超过阈值（2.4 GeV）到5.45 GeV。 这些首次测量值与模型预测进行了比较，并显示出与模型预测的广泛一致性，在模型预测中，级联光生产通过通过相对论介子交换产生的中间高子共振的衰减而进行，为理解光子和光子提供了新的进步 双奇怪重子的极化。

开关电源技术的发展趋势是提高功率密度，而实现这一目标的关键手段之一是提升开关频率。高开关频率可以显著降低功率损耗、缩小系统体积以及减轻重量。高可靠性对于开关电源（SMPS）同样至关重要，而零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS）拓扑则允许采用高频开关技术，在最大程度上降低开关损耗。 ZVS拓扑在高频开关下可以提升效率，并减少功率开关的应力，从而提升系统的整体可靠性。LLC谐振半桥变换器由于其自身的优势成为主流拓扑，应用广泛，尤其在高端服务器和平板显示器电源中。然而，要实现高可靠性，LLC谐振半桥变换器需要使用带有反向快速恢复体二极管的MOSFET。本文将分析LLC谐振变换器中的潜在失效模式，并提出相应的解决方案。 在功率变换市场中，尤其是通信和服务器电源应用，提高功率密度和追求高效率是极具挑战性的议题。功率密度的提高通常是通过增加开关频率以减小无源元件尺寸来实现的。ZVS拓扑因其极低的开关损耗和较低的器件应力而备受关注，但其ZVS工作范围较窄，且存在高循环能量消耗的问题。 LLC谐振变换器相较于传统谐振变换器有其独特优势：具有宽输出调节范围和窄开关频率范围，空载状态下仍能保证ZVS，以及能够利用所有寄生元件实现ZVS。这些优势使得LLC谐振变换器被广泛应用在电源供电市场中。 LLC谐振半桥变换器的拓扑结构包括电容Cr和两个串联的电感Lr和Lm，其中Lm代表变压器的励磁电感。谐振频率由负载状况决定，随着负载的增加而增大。LLC谐振变换器的启动过程尤为关键，需要特别注意潜在的失效模式。在启动时，谐振电容和输出电容完全放电，导致低端开关Q2的体二极管深度导通，继而造成高反向恢复电流，从而在Q1导通时可能导致直通问题。这种直通电流问题极有可能造成MOSFET的潜在失效。 为避免这类失效，文中提出了一个简单而高性价比的解决方案。建议使用带有反向快速恢复体二极管的MOSFET，并对变换器的启动过程进行特别设计，以降低电容充放电过程中的冲击电流。通过这种方式，可以减少MOSFET在启动、过载和输出短路等极端情况下的失效风险，从而提高整个系统的稳定性和可靠性。 本文对LLC谐振变换器中MOSFET的失效模式进行了深入分析，并提出了针对性的改进措施。通过优化MOSFET的选择和变换器的启动策略，能够显著提升功率密度和系统效率的同时，保证了电源系统的高可靠性，这在开关电源技术发展的当下，具有非常重要的实际应用价值。