为了测量光学元件多层膜膜厚均匀性指标，基于面形检测对多层膜均匀性测量方法进行了研究。分析了均匀性的测量过程以及影响因素，评估了元件面形检测复现性对测量结果的影响，建立了多层膜结构的有限元模型，计算分析膜层内应力对基底面形带来的影响。基于高复现性面形检测装置进行了测量方法的实验验证工作，实验结果表明：元件面形测量口径范围内膜厚分布均匀性优于0.1 nm[均方根(RMS)值]；将测试结果转化为沿径向的轮廓分布结果，与基于反射率计的膜厚检测数据进行了对比，表明两种方法测试数据基本吻合，验证了基于面形检测方法评估光学元件多层膜均匀性的可行性。

在现代半导体行业中，研发中心对于光刻技术的关注是非常重要的。

综述了国内外最近几年微立体光刻技术的研究进展。阐述了微立体光刻技术中的线扫描技术及面投影技术的基本原理及分类,分析了它们的技术核心并对相关参数进行了比较。简要阐述了微立体光刻技术在制造原型、微系统部件及微流体装置等方面的应用,最后,对该技术的发展前景作了展望。

EUV光刻技术-经济高效且适合大规模生产的工艺，晶圆被暴露于波长为13.5纳米的超紫外线（EUV）。通过这种方式，提高了芯片制造商的生产效率和利润。.mp4

主要内容： 本课程围绕超大规模集成电路制造中的先进光刻技术，陈 述与之相关的理论、设备、材料、测量与控制等。为了适应当前先进光 刻的需求，本课程会重点讲述在14nm及以下节点广泛使用的计算光刻、 分辨率增强技术以及设计-工艺联合优化技术等。 • 授课目标： 掌握光刻技术的原理，对计算光刻技术进行深入研讨 • 授课对象： 微电子学与固体电子学专业，集成电路制造专业研究生