电容,在中低频或直流情况下,就是一个储能组件,只表现为一个电容的特性,但在高频情况下,它就不仅仅是个电容了,它有一个理想电容的特性,有漏电流,有引线电感,还在导致电压脉冲波动情况下发热的ESR。为大家整理了一下电磁兼容设计的经验以及电路图,希望对大家有所帮助。
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GB 51204-2016 建筑电气工程电磁兼容技术规范 提供国家标准《GB 51204-2016 建筑电气工程电磁兼容技术规范》电子版的,同时提供更多建筑,电磁兼容,建筑电气相关的资料的查询与下载。
2024-02-26 20:47:19 9.34MB GB/T标准
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电磁搅拌对A356合金熔体结构及其凝固行为的影响,王晶,李培杰,通过对A356合金熔体进行热模浇注直接制备半固态浆料组织并水淬取样,研究了过热电磁搅拌对合金熔体凝固行为的影响,并据此提出了�
2024-02-26 11:59:36 1.55MB 首发论文
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用添加CaF2的方法制备了烧结Nd-Fe-B和烧结Sm-Co复合磁体,并对磁体的性能进行了分析研究。实验结果表明:在添加CaF2的烧结Nd-Fe-B复合磁体的电阻率增大,但其磁性能有一定程度的下降;而添加CaF2的烧结Sm-Co复合磁体,由于制备工艺过程中的氧化问题,导致磁体的磁性能严重下降。扫描电镜分析表明,烧结Sm-Co/CaF2复合磁体中没有形成1:5相和2:17R相的微观组织;在烧结Nd-Fe-B/CaF2复合磁体中,CaF2只存在于晶界富Nd相中,对磁体的微观组织没有太大的影响,烧结Nd-Fe-B磁体适合用添加CaF2的方法制备高电阻率的复合磁体。
2024-02-26 10:55:09 549KB CaF2 Nd-Fe-B磁体
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添加Gd与Ho对烧结Nd-Fe-B磁体结构与性能的影响,李峰,刘湘涟,添加不同的Gd或Ho,制备了(Pr-Nd)33-xGdxFebalCu0.2Al0.75B1.10(x = 0、1、3、5)和(Pr-Nd)33-xHoxFebalCu0.2Al0.75B1.10(x = 0、1、3、5)烧结磁体,分析了添
2024-02-26 10:52:51 345KB 首发论文
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使用Zabbix和smartmontools监控磁盘健康的模板和脚本-Perl-Python-下载
2024-02-26 10:39:58 90KB Perl
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射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质,农剑,徐华蕊,以Li0.33La0.56TiO3(LLTO)与Li7La3Zr2O12(LLZO)粉末靶材为溅射源,用射频磁控共溅射的方法制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质。在室温条件下,其离�
2024-02-26 10:31:38 360KB 首发论文
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Ni-Mn-Ga-Ti合金的相稳定性和磁性能的第一性原理计算,杨禛,白静,以Ni-Mn-Ga合金为代表的铁磁形状记忆合金是新型的智能材料,具有高达10 %的磁诱导应变以及kHz级别的响应频率。适量Ti掺杂可以析出Ni3Ti�
2024-02-26 10:16:32 448KB 首发论文
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我们进行了xNa2O-yY2O3-5B2O3-3Al2O3和xNa2O-yLa2O3-5B2O3-3Al2O3玻璃的结构分析,以阐明稀土离子在这些铝硼酸钠玻璃中的附加作用,并通过使用23Na和27Al幻角旋转核磁共振(MAS NMR)光谱。 在每种类型的玻璃中,较高配位的Al种类([5] Al和[6] Al)的数量分别响应于Y2O3与Al2O3和La2O3与Al2O3比率的增加而逐渐增加。 此外,观察到Y3 +和La3 +之间阳离子场强(CFS)的差异会影响[5] Al和[6] Al的生成,尤其是当玻璃中这些离子的数量增加时。 除上述以外,通过与结晶Na 2 Al 2 B 2 O 7的NMR光谱比较结果证实,Na +离子的配位数随着稀土离子数量的增加而增加。 后者可能是由于Al [5]和Al [6]上的氧浓度所致。 最后,证实了[5] Al和[6] Al的形成降低了氧化物玻璃中的摩尔体积,这可能部分是由于[5] Al和[6] Al更好的原子堆积。
2024-02-26 09:46:15 3.45MB 核磁共振
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铁磁形状记忆合金Mn50Ni36Sn9Co5中的动力学阻止和去阻止,马丽,赵德伟,用甩带快淬的方法制备了Mn50Ni36Sn9Co5合金.X射线衍射实验结果表明,Mn50Ni36Sn9Co5甩带合金在室温下为B2结构.磁性测量结果显示,当冷却�
2024-02-26 09:39:23 604KB 首发论文
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