栅漏电流大的MOS器件噪声特性的研究仍是现今研究中活跃的课题。尤其当MOS-FET缩减至直接隧穿尺度(<3nm)时，栅漏电流噪声模型显得尤为重要，并可为MOSFET可靠性表征和器件设计提供依据。文中基于MOSFET栅氧击穿效应和隧穿效应，总结了栅漏电流噪声特性，归纳了4种栅漏电流噪声模型，并对各种模型的特性和局限性进行了分析。

通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论，介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用.

本文讨论的短路保护时间是指MOSFET能承受的最长短路时间。在设计短路保护电路时，应考虑硬件及软件的响应时间，以及电流保护的峰值，这些参数都会影响到最终的保护时间。因此，硬件电路设计和软件的编写致关重要。

汽车功率IC涵盖的范围很宽，它包含汽车电子的IC应用系统和功能元件。它们都有一个主要的功能，既实现从几毫瓦到几千瓦的电能的供应、变换或驱动。这些IC的工作范围和12V、24V和48V的汽车电气系统电压相适应。

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率MOSFET更是备受关注。本期半月谈将会从基础开始，探讨MOSFET的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等；最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。

设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置，图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置，Body Diode 参数采用默认设置。

发个个人多年来从事高压脉冲电源的工作的一点经验总结。

高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开关电路中的应力，能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相关元素之外，并会探讨更高电流密度与更快开关速度及的意义，提供使用更先进的MOSFET取代旧型MOSFET的经验法则，并探讨在设计中利用新型MOSFET来获得更低RDS(on) 与更低闸极电荷的指引。

IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10～100kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。